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AI 인프라·반도체

KAIST, 2D 반도체용 범용 전극접촉 기술 개발

ZDNet Korea·2026-09-16

요약

KAIST 서준기 교수팀이 연세대·KIST·UNIST·삼성전자·중국 베이징 계산과학연구센터와 공동으로 이셀레늄화주석(SnSe₂)을 이용한 '범용 반데르발스 터널링 주입기'를 개발했다. 이 소재는 반데르발스 힘으로 반도체와 맞닿아 단층 2차원 반도체 손상 없이 매끄러운 전극 접촉을 구현한다. p형 이셀레늄화텅스텐(WSe₂) 트랜지스터는 기존 니켈 전극 대비 최대 구동 전류가 1,000배 이상 증가했고, n형 이황화몰리브덴(MoS₂) 트랜지스터는 온·오프 전류비가 10억 이상을 기록했다. 연구팀은 두 트랜지스터를 결합한 CMOS 인버터도 제작해 안정적 동작을 확인했으며, 연구결과는 국제학술지 '어드밴스드 머티리얼즈'에 게재됐다.

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그동안 단층 2차원 반도체는 채널 성능이 우수해도 전극 접촉부의 손상·에너지 장벽 문제로 실용화에 걸림돌이 있었는데, 이번 기술은 그 접촉 문제를 재료 자체의 특성으로 해결했다는 점이 핵심이다. 서 교수는 대면적 제조 기술이 더해지면 2D 반도체를 다층으로 쌓은 3차원 반도체로 발전시킬 수 있을 것으로 기대했다.

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