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중국 창신메모리, DRAM 점유율 1년새 2배 급등

테크42·2026-09-20주요

요약

중국 창신메모리(CXMT)가 상하이 증시 상장 첫날 주가가 폭등하며 시가총액이 공상은행을 넘어섰다. 카운터포인트리서치 집계 기준 창신메모리의 글로벌 DRAM 점유율은 2025년 2분기 4%에서 2026년 2분기 10%로 올라 삼성전자·SK하이닉스·마이크론에 이은 4위를 기록했다. 창신메모리는 11.95나노 공정 5세대 DRAM 플랫폼과 LPDDR6 양산을 공개했고, 샤오미는 신제품에 이 회사의 LPDDR6를 채택했다. 반도체 업계 관계자는 저가 공세가 한국 기업들의 범용 DRAM 수익성에 영향을 줄 수 있다고 말했다.

큐레이터 노트

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범용 DRAM에서는 저가 공세로 점유율을 넓히고 있지만, 고부가가치 HBM 시장에서는 골드만삭스 추정 기준 SK하이닉스가 여전히 과반 점유율을 유지하고 있어 두 시장의 수익 구조 차이가 관건이다.

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이 일이 어디서 왔나

삼성전자·SK하이닉스는 HBM 등 고부가 D램에서 우위를 지키는 한편, 낸드 쪽에서는 SK하이닉스 자회사 솔리다임이 미국에 첫 생산라인을 검토하는 등 생산기지 재편을 모색하고 있다. 이런 가운데 중국 창신메모리가 범용 D램 시장에서 저가 공세로 점유율을 빠르게 끌어올리며 한국 기업들의 사업 구도에 변수로 등장했다.

짚어야 할 점

  • 점유율 급등은 범용 D램에 국한된 이야기로, 노트에 언급된 대로 HBM에서는 여전히 SK하이닉스가 과반을 차지해 두 시장의 수익성 구조가 다르다는 점이 관건이다.
  • 상장 첫날 시가총액이 공상은행을 넘어선 것은 실적보다 중국 반도체 자립에 대한 투자 심리를 반영한 결과일 수 있다.
  • 샤오미가 LPDDR6를 채택했다는 사실은 중국 완제품 업체들이 자국산 메모리로 공급망을 옮겨가는 흐름을 보여준다.
  • SK하이닉스가 낸드 생산기지를 미국으로 넓히려는 움직임과 맞물려, 한국 기업들이 저가 범용 시장 대신 고부가·지역 다변화로 대응하는 구도가 만들어지고 있는지 지켜볼 지점이다.

아직 확인되지 않은 것

  • 창신메모리가 HBM 시장에 진입할 기술적 수준이나 시점에 대한 내용은 확인되지 않았다.
  • 창신메모리의 저가 공세에 정부 보조금이 얼마나 관여했는지에 대한 구체적 자료는 나오지 않았다.
  • 삼성전자·SK하이닉스가 이 점유율 변화에 어떤 가격·생산 전략으로 대응할지는 언급되지 않았다.

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