삼성전자, 커스텀 HBM 베이스 다이 TSMC와 투트랙 전략
요약
삼성전자가 커스텀 HBM(cHBM)용 베이스 다이 공급에서 내부 파운드리와 TSMC 공정을 함께 활용하는 투트랙 전략을 추진 중이다. 베이스 다이는 메모리와 시스템 반도체를 연결하는 핵심 부위로, HBM4부터 D램이 아닌 파운드리 공정에서 제조되기 시작했다. 엔비디아가 발표한 커스텀 구조 'NVHBM'은 메모리 컨트롤러 기능을 AI 가속기에서 HBM 베이스 다이로 옮기는 방식으로, HBM4E부터 적용될 예정이며 표준 HBM4E 대비 대역폭과 전력 효율을 개선한다고 엔비디아 측이 밝혔다. 삼성전자 메모리 사업부가 TSMC 베이스 다이 관련 설계·최적화를 담당하며, 이미 관련 제품을 설계 중인 고객사도 있는 것으로 파악됐다.
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